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誠峰電漿清洗設(shè)備厚膜HIC組裝階段的等離子清洗工藝研究

誠峰電漿清洗設(shè)備厚膜HIC組裝階段的等離子清洗工藝研究:
       誠峰電漿清洗設(shè)備是1項新型的清潔工藝,可大量應(yīng)用于微電子加工領(lǐng)域的各個工藝,尤其是在組裝、封裝過程中,能有效清除電子元件表面的氧化物、有機物,這對改善導(dǎo)電劑的粘附性、侵潤性、鋁線鍵合強度、金屬殼體封裝可靠性有一定的幫助。

電漿清洗設(shè)備

      與PCB、IC等其他組裝封裝形式(HIC)相比,厚膜混合集成電路芯片(HIC)有其本身的特性,具體表現(xiàn)為:中小批量生產(chǎn)多,裝配形式多,布局不規(guī)則等。鑒于這些特性,其在組裝階段的誠峰電漿清洗設(shè)備清洗也有特殊要求,而電漿清洗設(shè)備等離子清洗恰好為此提供了較好的解決方案。
以往,通常采用超聲清洗工藝進行組裝清洗,雖然這種清洗方法在去除重度有機沾染和顆粒狀沾染等方面有一定的優(yōu)勢,但也存在著清洗完整性較差、清洗功率較大容易損傷被清洗物、清洗小尺寸物較困難清洗介質(zhì)成本較高且有污染等諸多缺點。
       鑒于微電子裝配封裝的加工規(guī)模越來越大,對產(chǎn)品質(zhì)量的要求越來越高,要求在微電子裝配封裝加工過程中采用電漿清洗設(shè)備技術(shù)已迫在眉睫。血漿凈化是一種改善表面活性的一種工藝方法,輸入RF能使氣體電離成含有諸如正離子、負離子、自由電子等帶電粒子以及中性粒子在正負電荷相同的等離子態(tài)。這類電漿體是通過化學(xué)和物理作用在被清潔設(shè)備表面上進行處理,在分子水平上達到去污、去污的效果。
對厚膜HIC而言,鑒于其工藝多、工藝復(fù)雜,大部分是典型的被氧化污染和有機沾污。離子清洗法可改善粘結(jié)界面的性能,提高粘結(jié)質(zhì)量的完整性和可靠性。采用氬氣電漿清洗設(shè)備清洗能夠有效去除芯片、片基表面的氧化物。
       電漿清洗設(shè)備工藝,可以去除片基表面的氧化物和有機物沾污,提高片基以及電子器件粘合區(qū)的侵潤性和活力,有利于提高元件的粘合強度,減小片基與導(dǎo)電粘合材料間的接觸電阻。
經(jīng)過電漿清洗設(shè)備處理后的厚膜HIC,可以有效提高鍵合、元件粘合的可靠性。針對相對性完善的鍵合、粘合工藝,等離子清洗針對厚膜HIC質(zhì)量的提升,挺大程度上反映在提高加工的完整性,使電路具有更高的可靠性。

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